每(mei)經AI快訊，有投(tou)資者在投(tou)資者互動(dong)平臺(tai)提問：請問貴司的HIT和(he)鈣鈦礦電池技(ji)(ji)術是(shi)否為同一技(ji)(ji)術呢(ni)？HIT和(he)HJT具體什(shen)么區(qu)別呢(ni)？

泉為(wei)科技（300716.SZ）6月21日(ri)在(zai)投資(zi)者互動平(ping)臺表(biao)示，HIT和鈣鈦(tai)礦(kuang)(kuang)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)技術(shu)(shu)并(bing)非同一(yi)技術(shu)(shu)，而(er)HIT和HJT電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)均(jun)指(zhi)異質結(jie)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)，并(bing)無(wu)區別(bie)。 HIT是英文 Heterojunction with Intrinsic Thin-layer 的(de)縮寫，本(ben)征(zheng)薄(bo)膜(mo)(mo)異質結(jie)，最早由日(ri)本(ben)三洋公司于(yu)1990年(nian)成功開發，因HIT早已被三洋注冊(ce)為(wei)商標(biao)，因此HIT電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)又被稱(cheng)為(wei)HJT 或 SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。HIT/HJT電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)屬于(yu)晶硅(gui)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)，是在(zai)晶體(ti)(ti)硅(gui)上沉積非晶硅(gui)薄(bo)膜(mo)(mo)，綜(zong)合了晶體(ti)(ti)硅(gui)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)與(yu)薄(bo)膜(mo)(mo)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)優勢，具有(you)高轉(zhuan)換效率、低(di)光衰(shuai)(shuai)、低(di)溫制程、高弱光響應、穩定(ding)性(xing)高、衰(shuai)(shuai)減率低(di)等特性(xing)。 鈣鈦(tai)礦(kuang)(kuang)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)是第三代薄(bo)膜(mo)(mo)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)代表(biao)，它使(shi)用鈣鈦(tai)礦(kuang)(kuang)結(jie)構材料作為(wei)光吸收層(ceng)，并(bing)包括單結(jie)和疊層(ceng)兩種主要類型。鈣鈦(tai)礦(kuang)(kuang)-晶硅(gui)疊層(ceng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)是業界認(ren)為(wei)未來產業化發展的(de)重要方(fang)向。HJT電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)由于(yu)自身(shen)非晶硅(gui)層(ceng)的(de)存(cun)在(zai)，與(yu)鈣鈦(tai)礦(kuang)(kuang)適配度更(geng)高且本(ben)身(shen)性(xing)能(neng)更(geng)好。泉為(wei)科技光伏(fu)新能(neng)源板塊專(zhuan)注于(yu)高效異質結(jie)（HJT）電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)、組件，鈣鈦(tai)礦(kuang)(kuang)等產品(pin)的(de)技術(shu)(shu)研(yan)發、生產、銷售(shou)、運營為(wei)一(yi)體(ti)(ti)。

(記者 畢陸名)

免(mian)責聲明(ming)：本文內容與數據僅供參考，不構成投資建議，使用前核(he)實。據此操作，風險自擔。