每經AI快訊，有投(tou)資(zi)者(zhe)在(zai)投(tou)資(zi)者(zhe)互動平臺提問(wen)：貴公(gong)司跟(gen)蹤和(he)研發(fa)以(yi)SiC（碳化(hua)硅）和(he)GaN（氮化(hua)鎵）為代(dai)表的第三代(dai)寬禁帶半導體材料和(he)器(qi)件技(ji)術(shu),現在(zai)進(jin)度到哪一(yi)步了,有在(zai)開(kai)發(fa)嗎?

臺基股份(fen)（300046.SZ）8月18日在投資者(zhe)互動平臺表示，公司跟蹤和(he)(he)研發(fa)碳化(hua)(hua)硅和(he)(he)氮(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)等第三(san)代寬禁帶半導(dao)體材料和(he)(he)器件技術(shu)，目前(qian)尚(shang)未(wei)形(xing)成產品。

(記者 周宇翔)

免責聲明：本文內(nei)容與數據(ju)僅供參考，不構成投資(zi)建議，使用前核實。據(ju)此操作，風險自擔。