每經記者｜朱成祥    每經編輯(ji)｜梁梟(xiao)    

在(zai)2020年(nian)的A股(gu)市(shi)場，中芯國(guo)(guo)際(ji)（SH688981）是最受矚目的上市(shi)公司之(zhi)一(yi)。當年(nian)6月(yue)(yue)1日(ri)，中芯國(guo)(guo)際(ji)IPO申請獲受理，僅一(yi)個月(yue)(yue)時間便注冊(ce)生效，7月(yue)(yue)16日(ri)成(cheng)功登陸科創(chuang)板。中芯國(guo)(guo)際(ji)發行價(jia)27.46元(yuan)/股(gu)，上市(shi)當日(ri)以95元(yuan)/股(gu)價(jia)格開盤，市(shi)值(zhi)突破6000億(yi)元(yuan)。

在資(zi)本市場，中芯(xin)國際(ji)備(bei)受追(zhui)捧(peng)，一時風頭無(wu)兩(liang)。在技術層面，中芯(xin)國際(ji)于2019年量產14納米FinFET工藝，成為全球(qiu)少數掌握FinFET技術的晶圓制(zhi)造廠商。

坐(zuo)擁(yong)資(zi)本市場支持，技(ji)術上又有聯席CEO梁(liang)(liang)孟(meng)松(song)坐(zuo)鎮，中(zhong)芯(xin)國(guo)際(ji)雄心勃勃開始(shi)對行(xing)業領(ling)頭羊臺積電、三星(xing)發(fa)起“跳代”式追(zhui)趕(gan)。彼時，在(zai)(zai)梁(liang)(liang)孟(meng)松(song)帶領(ling)下(xia)，中(zhong)芯(xin)國(guo)際(ji)著手研發(fa)的(de)N+1、N+2被業內認為接近(jin)于8納(na)米、7納(na)米。在(zai)(zai)格羅方德、聯電放(fang)棄攻堅7納(na)米后，中(zhong)芯(xin)國(guo)際(ji)幾乎成為晶圓代工(gong)領(ling)域先進(jin)制程的(de)唯一(yi)追(zhui)趕(gan)者。

由(you)于受到美國(guo)(guo)無理打(da)壓，中(zhong)芯國(guo)(guo)際(ji)先(xian)進(jin)工藝的研發(fa)(fa)、量(liang)產遇到困難，公司公告中(zhong)對先(xian)進(jin)工藝的披露也越來越少。不過，先(xian)進(jin)工藝只是廣闊半導體市場(chang)的一部分，中(zhong)芯國(guo)(guo)際(ji)在成熟工藝、特色(se)工藝上仍有(you)長足(zu)發(fa)(fa)展空間。

創業維艱

2000年(nian)4月，中芯國際(ji)在上海浦東正式成(cheng)立(li)。當年(nian)8月，中芯國際(ji)廠房開始在張(zhang)江建設。

中(zhong)芯國(guo)際創業前不久，正值美股科網股泡沫高峰期。2000年(nian)3月，費(fei)城(cheng)半(ban)導(dao)體指(zhi)數(shu)一度超過(guo)1300點。然而(er)，自中(zhong)芯國(guo)際成立(li)的4月起，費(fei)城(cheng)半(ban)導(dao)體指(zhi)數(shu)一路(lu)向下，到2002年(nian)10月甚至跌(die)(die)至200點左右。作為(wei)全球(qiu)半(ban)導(dao)體市場的風向標，費(fei)城(cheng)半(ban)導(dao)體指(zhi)數(shu)大幅下跌(die)(die)，無疑(yi)標志著(zhu)半(ban)導(dao)體行業陷(xian)入低谷。

在國(guo)內產(chan)(chan)業配(pei)套稀缺(que)，行業又(you)處(chu)于(yu)低谷期之際(ji)(ji)(ji)，中芯(xin)國(guo)際(ji)(ji)(ji)逆(ni)勢而上，迅(xun)速建(jian)設(she)多座晶(jing)圓(yuan)工(gong)廠(chang)。2001年(nian)，中芯(xin)國(guo)際(ji)(ji)(ji)上海8英寸生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)基(ji)(ji)地建(jian)設(she)完成；2002年(nian)，中芯(xin)國(guo)際(ji)(ji)(ji)北京12英寸生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)基(ji)(ji)地奠(dian)基(ji)(ji)，并實現0.18微(wei)米的(de)全面(mian)技術認(ren)(ren)證和(he)量產(chan)(chan)；2003年(nian)，中芯(xin)國(guo)際(ji)(ji)(ji)收購(gou)天津摩托羅拉晶(jing)圓(yuan)廠(chang)并成立中芯(xin)天津。此間，中芯(xin)國(guo)際(ji)(ji)(ji)陸續(xu)實現0.35微(wei)米～0.13微(wei)米的(de)全面(mian)技術認(ren)(ren)證與(yu)量產(chan)(chan)。

2004年，中芯國際首次實現盈利，并于港交所與紐交所上市(shi)(shi)。此時(shi)，中芯國際已經是國際晶圓代工(gong)市(shi)(shi)場不可忽視的力(li)量。

取得成績(ji)的同時，專利訴(su)訟也隨之而來。2003年12月(yue)，臺積(ji)電提起訴(su)訟，稱中芯國際侵犯其若(ruo)干專利。2005年1月(yue)，中芯國際與臺積(ji)電一度就此達成和解。

此后，中(zhong)芯(xin)國(guo)際(ji)發展勢頭不減。2005年(nian)，臺積電試產65納(na)米(mi)制(zhi)程，2006年(nian)第四季度開始量產；中(zhong)芯(xin)國(guo)際(ji)也于2007年(nian)掌握(wo)了65納(na)米(mi)制(zhi)程，并迅(xun)速布局45納(na)米(mi)制(zhi)程；2007年(nian)12月，中(zhong)芯(xin)國(guo)際(ji)與IBM簽訂(ding)45納(na)米(mi)Bulk COMS技術許可協定。

2006年8月，臺積電(dian)再度(du)發起訴訟，理由是中(zhong)芯(xin)國際(ji)違反和解(jie)協議。2009年，中(zhong)芯(xin)國際(ji)與臺積電(dian)達成(cheng)和解(jie)。但此后(hou)，創始人張汝京離職，隨后(hou)的“王楊之爭”讓中(zhong)芯(xin)國際(ji)錯(cuo)過發展機遇。

芯片的發展需要(yao)一代(dai)一代(dai)不(bu)斷積(ji)累。一步(bu)落后，難(nan)免步(bu)步(bu)落后。

崛起歷史能否重現？

梁孟松加入(ru)后(hou)，中(zhong)芯國際(ji)追趕臺積電(dian)的進程迎來轉機(ji)。

2017年10月，梁(liang)孟松加入中芯(xin)國(guo)際(ji)。自(zi)此(ci)，中芯(xin)國(guo)際(ji)迎來工藝制程“跳(tiao)代”式發展。比如越過22納(na)米(mi)(mi)，從28納(na)米(mi)(mi)直(zhi)接(jie)進(jin)(jin)入14納(na)米(mi)(mi)。2019年，中芯(xin)國(guo)際(ji)取得(de)重(zhong)大(da)進(jin)(jin)展，實現14納(na)米(mi)(mi)FinFET量產，邁入了FinFET時代。彼(bi)時，中芯(xin)國(guo)際(ji)進(jin)(jin)一步“跳(tiao)代”，跳(tiao)過10納(na)米(mi)(mi)，直(zhi)接(jie)進(jin)(jin)入8納(na)米(mi)(mi)、7納(na)米(mi)(mi)。此(ci)前，有行業(ye)人士在接(jie)受《每日經濟新聞(wen)》記者采訪時曾透露(lu)，中芯(xin)國(guo)際(ji)的N+1、N+2就(jiu)相當于(yu)8納(na)米(mi)(mi)、7納(na)米(mi)(mi)。

然而好(hao)景不長(chang)，自(zi)2020年10月以來，中芯(xin)國(guo)(guo)際遭遇(yu)美(mei)國(guo)(guo)多輪所(suo)(suo)謂的“制(zhi)(zhi)裁”。為此，中芯(xin)國(guo)(guo)際戰(zhan)略方向已從(cong)先(xian)進工藝制(zhi)(zhi)程轉向成熟(shu)工藝、特色工藝。公司陸續在(zai)北京、上海(hai)、深圳(zhen)、天(tian)津興建12英寸晶圓工廠。這些工廠的工藝制(zhi)(zhi)程均對(dui)準28納米及以上，并不在(zai)美(mei)國(guo)(guo)所(suo)(suo)謂的“制(zhi)(zhi)裁”范圍內。

中(zhong)芯(xin)國際登陸(lu)科(ke)創板時正是(shi)(shi)芯(xin)片行業高景氣時期。2020年(nian)(nian)7月，中(zhong)芯(xin)國際登陸(lu)科(ke)創板，而自2020年(nian)(nian)下半年(nian)(nian)以(yi)來，半導體行業陷入“缺芯(xin)潮(chao)”。因此，盡(jin)管(guan)遭遇困難(nan)，中(zhong)芯(xin)國際還是(shi)(shi)交出了多份(fen)靚麗的(de)業績(ji)“答卷”。

不過，進入2022年，芯(xin)片行業供求關系逆轉(zhuan)，除(chu)了汽(qi)車電子(zi)等細分(fen)領域外(wai)，半(ban)導體(ti)行業普遍(bian)由“缺芯(xin)潮”轉(zhuan)入“砍單(dan)潮”，2022年下(xia)半(ban)年下(xia)行趨(qu)勢尤為明顯。在此背景下(xia)，中(zhong)芯(xin)國際產能利用率(lv)逐漸下(xia)降(jiang)。2022年一(yi)季度，其產能利用率(lv)尚且高(gao)達100.4%，二(er)季度下(xia)降(jiang)至97.1%，三季度進一(yi)步下(xia)降(jiang)至92.1%。

一(yi)方面(mian)，產能利用(yong)率持(chi)續下降，另一(yi)方面(mian)，四大(da)12英寸晶(jing)圓廠正在(zai)建(jian)設。是否(fou)有足夠大(da)的(de)市場來填補中芯國際(ji)待投產產能，尚需進一(yi)步觀察。

此前，中(zhong)(zhong)芯國(guo)際(ji)的崛起(qi)(qi)就是在行(xing)業低谷(gu)(gu)期逆(ni)勢擴張(zhang)。2000年(nian)～2002年(nian)，費城半導體指數連續三年(nian)下跌，中(zhong)(zhong)芯國(guo)際(ji)逆(ni)勢投(tou)建(jian)工廠，異軍突起(qi)(qi)。如(ru)今，中(zhong)(zhong)芯國(guo)際(ji)在行(xing)業低谷(gu)(gu)期逆(ni)勢擴張(zhang)產能的劇情(qing)能否重演(yan)，值得期待(dai)。

注：FinFET，Fin Field-Effect Transistor的(de)簡稱(cheng)，指鰭式場效應晶體(ti)管(guan)，是一種新的(de)互補式金氧半導(dao)體(ti)晶體(ti)管(guan)，可以改善電路控(kong)制并減少漏電流，縮(suo)短晶體(ti)管(guan)的(de)閘(zha)長。

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