每經AI快訊，6月(yue)24日(ri)，中(zhong)科(ke)院(yuan)(yuan)半導(dao)體(ti)所發(fa)布訃告：中(zhong)國工程院(yuan)(yuan)院(yuan)(yuan)士、中(zhong)國科(ke)學(xue)院(yuan)(yuan)半導(dao)體(ti)研(yan)究所研(yan)究員、我國著名(ming)半導(dao)體(ti)材料學(xue)家梁駿吾(wu)先生因病醫治無效，不(bu)幸于2022年6月(yue)23日(ri)17時在北京逝世，享年89歲。

梁(liang)駿(jun)吾(wu)院(yuan)(yuan)士(shi)1933年9月18日生于湖(hu)北(bei)武漢，1997年當選中(zhong)國工程院(yuan)(yuan)院(yuan)(yuan)士(shi)。他先后榮獲國家科(ke)(ke)委科(ke)(ke)技(ji)(ji)成(cheng)(cheng)果二等(deng)(deng)獎(jiang)(jiang)和(he)新(xin)產品二等(deng)(deng)獎(jiang)(jiang)各(ge)1次(ci)，國家科(ke)(ke)技(ji)(ji)進(jin)步(bu)三(san)等(deng)(deng)獎(jiang)(jiang)1次(ci)、中(zhong)科(ke)(ke)院(yuan)(yuan)重大成(cheng)(cheng)果和(he)科(ke)(ke)技(ji)(ji)進(jin)步(bu)一等(deng)(deng)獎(jiang)(jiang)3次(ci)、二等(deng)(deng)獎(jiang)(jiang)4次(ci)，上(shang)海市科(ke)(ke)技(ji)(ji)進(jin)步(bu)二等(deng)(deng)獎(jiang)(jiang)1次(ci)等(deng)(deng)各(ge)種科(ke)(ke)技(ji)(ji)獎(jiang)(jiang)共20余次(ci)。

梁駿吾院士從(cong)事半(ban)導(dao)體(ti)(ti)材料科學研究(jiu)工(gong)作(zuo)六(liu)十多年(nian)，是我(wo)國早期半(ban)導(dao)體(ti)(ti)硅(gui)(gui)(gui)材料的(de)(de)(de)(de)奠基(ji)人。上世紀60年(nian)代解決了高純區熔硅(gui)(gui)(gui)的(de)(de)(de)(de)關(guan)鍵(jian)技術；1964年(nian)制(zhi)備(bei)出室溫(wen)激(ji)光器用(yong) GaAs 液相(xiang)外延材料；1979年(nian)研制(zhi)成功為大規模集成電路(lu)用(yong)的(de)(de)(de)(de)無(wu)位錯(cuo)、無(wu)旋渦、低微缺陷(xian)、低碳(tan)、可控氧(yang)量的(de)(de)(de)(de)優(you)質硅(gui)(gui)(gui)區熔單晶；80年(nian)代首(shou)創了摻氮中(zhong)子(zi)嬗變硅(gui)(gui)(gui)單晶，解決了硅(gui)(gui)(gui)片的(de)(de)(de)(de)完整(zheng)性和(he)均勻性的(de)(de)(de)(de)問題；90年(nian)代初研究(jiu) MOCVD 生(sheng)長超(chao)晶格量子(zi)阱材料，在晶體(ti)(ti)完整(zheng)性、電學性能和(he)超(chao)晶格結構控制(zhi)方面，將中(zhong)國超(chao)晶格量子(zi)阱材料推進到實用(yong)水平；他還在太(tai)陽電池(chi)用(yong)多晶硅(gui)(gui)(gui)的(de)(de)(de)(de)研究(jiu)和(he)產業化等方面發揮(hui)著積(ji)極作(zuo)用(yong)。（央視(shi)新聞(wen)）