每(mei)經(jing)AI快訊(xun)，以碳化(hua)硅(gui)（SiC）為代(dai)(dai)表的第三代(dai)(dai)半導(dao)體(ti)(ti)材料是我(wo)國(guo)制造業轉(zhuan)型升級的驅動因素(su)和(he)重要保證(zheng)。記者從中國(guo)科學院微電(dian)子研(yan)究所(suo)獲(huo)悉，我(wo)國(guo)在太空成功(gong)驗證(zheng)了首款國(guo)產碳化(hua)硅(gui)（SiC）功(gong)率器(qi)(qi)件(jian)，第三代(dai)(dai)半導(dao)體(ti)(ti)材料有(you)望(wang)牽引我(wo)國(guo)航天電(dian)源升級換(huan)代(dai)(dai)。據中國(guo)科學院微電(dian)子研(yan)究所(suo)劉新宇(yu)研(yan)究員介紹(shao)，功(gong)率器(qi)(qi)件(jian)是實現電(dian)能變換(huan)和(he)控制的核(he)心，被譽(yu)為“電(dian)力電(dian)子系(xi)統的心臟”，是最(zui)為基礎(chu)、應用最(zui)為廣泛的器(qi)(qi)件(jian)之一。隨著(zhu)硅(gui)基功(gong)率器(qi)(qi)件(jian)的性能逼近(jin)極限，以碳化(hua)硅(gui)（SiC）為代(dai)(dai)表的第三代(dai)(dai)半導(dao)體(ti)(ti)材料，以其獨特優(you)勢(shi)可滿足空間(jian)電(dian)源系(xi)統高能效、小型化(hua)、輕量(liang)化(hua)需求，對新一代(dai)(dai)航天技(ji)術(shu)發展(zhan)具有(you)重要戰略意(yi)義。

業內專家認(ren)為(wei)，我(wo)國在(zai)太空(kong)成功驗證第三代半導體材料制造的功率(lv)器(qi)件(jian)(jian)，標志著在(zai)以“克”為(wei)計(ji)量的空(kong)間載(zai)荷需求(qiu)下，碳化硅（SiC）功率(lv)器(qi)件(jian)(jian)有望牽引(yin)空(kong)間電源系(xi)統的升(sheng)級(ji)換(huan)代，為(wei)未來我(wo)國在(zai)探月(yue)工程、載(zai)人登月(yue)、深空(kong)探測等(deng)領域提供新(xin)一(yi)代功率(lv)器(qi)件(jian)(jian)。 (新(xin)華社)