7月20日，2023世界半導體大會開幕式在南京舉行，中(zhong)國工程院院士倪光南發表主題演講(jiang)。他提供了一組數據(ju)：中(zhong)國單位(wei)GDP的數據(ju)存儲(chu)量(liang)(liang)只有(you)美(mei)(mei)國70%左右(you)，而(er)人均數據(ju)存儲(chu)量(liang)(liang)，美(mei)(mei)國是(shi)中(zhong)國的9倍(bei)。美(mei)(mei)國為(wei)212GB/人，中(zhong)國約為(wei)25GB/人。說明中(zhong)國數據(ju)存儲(chu)產業大有(you)可為(wei)，前(qian)景應(ying)該是(shi)非常棒的。

當前（數據(ju)(ju)(ju)量）很大(da)(da)的(de)推動(dong)來自(zi)于大(da)(da)模型、大(da)(da)預言(yan)模型、生成(cheng)式AI。倪(ni)光南預計，2025年中國將超過美國，成(cheng)為(wei)世(shi)界第(di)一數據(ju)(ju)(ju)大(da)(da)國。其認為(wei)，中國是名(ming)副其實的(de)數據(ju)(ju)(ju)大(da)(da)國，而(er)擁(yong)有(you)強(qiang)大(da)(da)、先進的(de)數據(ju)(ju)(ju)存儲(chu)產業作(zuo)為(wei)支撐，才能(neng)有(you)發展的(de)主動(dong)權。

關(guan)于(yu)行業發展趨勢，倪光南指出，當前新一輪科(ke)技(ji)(ji)革命，其中有一項(xiang)重大技(ji)(ji)術(shu)變革正在(zai)發展。這(zhe)(zhe)是基于(yu)半導體技(ji)(ji)術(shu)形成新型產品，替代(dai)基于(yu)機械(xie)技(ji)(ji)術(shu)的產品。這(zhe)(zhe)是客觀趨勢，而(er)且(qie)正在(zai)加速進行。

倪光南(nan)發表(biao)主題演講 圖片來源(yuan)：每經記者 朱成祥(xiang) 攝

倪光(guang)南具(ju)體(ti)說明道，從閃存(cun)占比看，全球是(shi)41.3%，美國(guo)是(shi)56.4%，而中(zhong)國(guo)只有20.3%。因此(ci)，倪光(guang)南建議通過政(zheng)策引導，力推SSD（固(gu)態硬(ying)盤(pan)）取代HDD（機械硬(ying)盤(pan)）。

關于存(cun)(cun)(cun)儲芯片產(chan)業鏈，倪光南介(jie)紹稱，于中國(guo)而言，新型(xing)半導體存(cun)(cun)(cun)儲產(chan)業鏈是比較完整的。上游(you)芯片方面，NAND Flash領域有長江存(cun)(cun)(cun)儲；DRAM有長鑫。閃存(cun)(cun)(cun)主控(kong)芯片方面，十幾家都(dou)可(ke)以(yi)做。

此外，他(ta)也(ye)表示(shi)，生(sheng)(sheng)產NAND Flash存儲芯(xin)片(pian)的核心設備是刻蝕(shi)機，中微(wei)公(gong)司(si)的刻蝕(shi)機已經(jing)突破5nm工藝(yi)，達到(dao)國際領先水平。生(sheng)(sheng)產SSD主控芯(xin)片(pian)和DRAM的光(guang)(guang)刻機工藝(yi)為12～28nm，都不(bu)需要(yao)用(yong)到(dao)EUV光(guang)(guang)刻機，所以其芯(xin)片(pian)生(sheng)(sheng)產和裝備基本上不(bu)會被(bei)“卡脖子”。

倪光南(nan)也列出了生產(chan)NAND Flash顆粒的世界(jie)排(pai)名，長江存儲排(pai)名第六位(wei)，市場份額在5%左右。

綜合來說，倪光(guang)南認為，當(dang)前(qian)是發展(zhan)中國(guo)數據產(chan)(chan)業(ye)很(hen)好的(de)時機，也有很(hen)大的(de)挑戰。他也給出相關(guan)建議：為促進產(chan)(chan)業(ye)更(geng)好的(de)發展(zhan)，以“行標(biao)”或“團標(biao)”的(de)方式，發布“算(suan)力中心(xin)建設指南”，提出“算(suan)力”與“存力”的(de)適當(dang)比(bi)率(lv)(lv)范圍；提出“存力”中采(cai)用SSD先(xian)進存力的(de)適當(dang)比(bi)率(lv)(lv)范圍，避免(mian)大力發展(zhan)算(suan)力中心(xin)建設中的(de)某些傾向(xiang)，均衡部(bu)署，均衡發展(zhan)，搶占新(xin)一輪科技革(ge)(ge)命和產(chan)(chan)業(ye)變革(ge)(ge)的(de)制高點。